Samsung sẽ bắt đầu sản xuất số lượng lớn chip 3nm vào năm 2022

Samsung có vẻ như đang bắt tay vào việc sản xuất số lượng lớn chip 3nm, nhằm đối đầu trực tiếp tới TSMC trong thời gian tới đây.

Samsung Foundry và Synopsys đã thông báo đang khai thác chip thử nghiệm đầu tiên của mình bằng cách sử dụng công nghệ 3GAA (3 nm) có các bóng bán dẫn dil-around (GAA). Các chip thử nghiệm được thiết kế bằng các công cụ tự động hóa thiết kế điện tử (EDA) của Synopsys Fusion Design Platform’.

Quy trình sản xuất 3GAA của Samsung sử dụng các bóng bán dẫn hoàn toàn mới (GAA) hứa hẹn cho phép rò rỉ thấp hơn, hiệu suất cao hơn và mật độ bóng bán dẫn tăng lên khi so sánh với các công nghệ hiện có của công ty. Một trong những lợi ích được cung cấp bởi bóng bán dẫn GAA là khả năng điều chỉnh hiệu suất và mức tiêu thụ điện năng của chúng bằng cách điều khiển chiều rộng tấm nano.

Nhưng để triển khai công nghệ 3GAA của Samsung, công ty cần sử dụng các công cụ EDA và IP hoàn toàn mới, đó là lúc Synopsys phát huy tác dụng. Phần mềm mới của Synopsys tính đến các phương pháp luận vị trí phức tạp mới, quy tắc sơ đồ mặt bằng, quy tắc định tuyến và tăng khả năng thay đổi hình học mới.

Shankqr Krishnamoorthy, tổng giám đốc của Nhóm thiết kế kỹ thuật số tại Synopsys cho biết: “Cấu trúc bóng bán dẫn GAA đánh dấu một điểm nhấn quan trọng trong tiến bộ công nghệ, nó rất quan trọng trong việc duy trì làn sóng đổi mới siêu tỷ lệ tiếp theo,”

Mới đây thì Samsung Foundry, xưởng đúc độc lập lớn thứ hai trên toàn thế giới sau TSMC, đã thực hiện một số thay đổi đối với quy trình chip 3nm của mình theo AnandTech. Những con chip đầu tiên của Samsung Foundry được sản xuất bằng quy trình 3nm, 3GAE (3nm Gate-All-Around Early) sẽ được sản xuất với số lượng lớn muộn hơn một năm so với bình thường. Con chip cũng bị loại khỏi lộ trình của Samsung vì nhận thấy rằng 3GAE có thể chỉ được sản xuất để sử dụng nội bộ.

Một đại diện của Samsung cho biết: “Về quy trình 3GAE, chúng tôi đã thảo luận với khách hàng và dự kiến ​​sẽ sản xuất hàng loạt 3GAE vào năm 2022“. Người kế nhiệm của 3GAE(3nm Gate-All-Around Plus) vẫn có trong lộ trình sản xuất số lượng lớn dự kiến ​​sẽ bắt đầu vào năm 2023. Lộ trình nói trên đã được công bố tại Diễn đàn Sáng lập 2021 ở Trung Quốc.

Đối với các chip sử dụng kiến ​​trúc bóng bán dẫn FinFET cũ hơn, Samsung đã thêm 5LPP và 4LPP vào lộ trình sản xuất số lượng lớn trong năm 2021 và 2022. Khi Samsung công bố 3GAE và 3GAP vào tháng 5 năm 2019, công ty đã thông báo rằng nó sẽ mang lại hiệu suất tăng 35%, giảm 50% mức tiêu thụ điện năng so với 7LPP thế hệ trước.

Lộ trình của Samsung Foundry không cho thấy sản xuất số lượng lớn vào năm 2022 cho nút quy trình 3GAE rất có thể là dấu hiệu cho thấy nó sẽ được sử dụng cho các linh kiện nội bộ - Samsung sẽ bắt đầu sản xuất chip 3nm số lượng lớn vào năm tới

Bạn nghĩ sao về quy trình sản xuất chip 3nm mới của Samsung?

Sources:PhoneArena